Nalaganje ...
Sistem trenutno ne more izvesti postopka. Poskusite znova pozneje.
Št. navedb na leto
Podvojene navedbe
Naslednji članki v Učenjaku so združeni. Pri teh se za
skupno število navedb
upošteva le prvi članek.
Združene navedbe
Ta števec navedb vsebuje navedbe naslednjih člankov v Učenjaku. Tisti, ki so označeni z
*
, se morda razlikujejo od člankov v profilu.
Dodajanje soavtorjev
Soavtorji
Spremljaj
Novi članki tega avtorja
Novi navedki člankov tega avtorja
Novi članki, povezani z raziskavami tega avtorja
E-poštni naslov za obvestila
Končano
Moj profil
Moja knjižnica
Podatki o navedbah
Opozorila
Nastavitve
Prijava
Prijava
Ustvarite profil
Navedeno
Vse
Od leta 2019
Navedbe
78
78
indeks h
3
3
indeks i10
3
3
0
38
19
2021
2022
2023
2024
3
32
38
5
Spremljaj
Farzaneh Izadinasab
Neznano partnerstvo
Preverjeni e-poštni naslov na nit.ac.ir
Electrical & Electronics Engineering - VLSI - Low Power VLSI Design
Članki
Navedeno
Naslov
Razvrsti
Razvrsti po navedbah
Razvrsti po letniku
Razvrsti po naslovu
Navedeno
Navedeno
Leto
A reliable low standby power 10T SRAM cell with expanded static noise margins
E Abbasian, F Izadinasab, M Gholipour
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 69 (4), 1606-1616
, 2022
45
2022
Performance evaluation of GNRFET and TMDFET devices in static random access memory cells design
E Abbasian, M Gholipour, F Izadinasab
International Journal of Circuit Theory and Applications 49 (11), 3630-3652
, 2021
20
2021
Half-select disturb-free single-ended 9-transistor SRAM cell with bit-interleaving scheme in TMDFET technology
F Izadinasab, M Gholipour
Microelectronics Journal 113, 105100
, 2021
13
2021
Sistem trenutno ne more izvesti postopka. Poskusite znova pozneje.
Članki 1–3
Pokaži več
Zasebnost
Pogoji
Pomoč
O Učenjaku
Pomoč za Iskanje Google